新一代NAND闪存升级计划：三星电子谋求技术领先

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8月30日消息，为了保持新一代NAND闪存在市场中的竞争力，三星电子计划在2024年对其NAND核心设备供应链进行全面升级。
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据了解，各大NAND生产基地目前正在积极推进设备运行测试，以在明年实现对NAND核心设备供应链的彻底改变。这一举措旨在提高NAND闪存的性能和效率，以满足不断增长的存储需求，并在激烈的市场竞争中占据优势。

今年上半年，三星电子的半导体产品库存出现了一定程度的增加。根据外媒报道，截至上半年结束，三星电子设备解决方案部门的库存已达到33.69万亿韩元，较去年年底的29.06万亿韩元有所增加。

三星电子高管在今年第二季度的财报电话会议上表示，下半年将继续削减存储芯片的产量，特别是NAND闪存的产量，以加速库存的正常化进程。业内人士透露，为了减少NAND库存，三星电子将进行大规模的减产，计划在今年年底之前将库存降至正常水平，即6-8周的范围内。

近日，有业界消息人士透露，三星电子正在引入日本东京电子(TEL)的最新设备，用于其位于平泽园区的第三工厂(P3)的NAND生产线。这些新设备，主要用于半导体工艺中的蚀刻步骤，有望进一步提升生产效率和产品质量。

综上所述，三星电子积极调整其NAND核心设备供应链，以适应市场需求的变化并提升其在NAND闪存领域的竞争力。这一举措将有助于公司在激烈的技术竞赛中保持领先地位，为消费者提供更高性能的存储解决方案。